Оперативная память

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 800 МГц, напряжение 1.8 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В