Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM

двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В

частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 1333 МГц

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 36T, тайминги 36-38-38, напряжение 1.25 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 32-36-36-76, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 46T, тайминги 46-45-45-89, напряжение 1.1 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В