Оперативная память

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-31, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 2666 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

частота 2133 МГц, CL 15T

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-19-19-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В