Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1866 МГц

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В

частота 2400 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-31, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В