Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-16-16-35, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, тайминги 19-23-23-45, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3800 МГц, CL 14T, тайминги 14-16-16-36, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 13T, тайминги 13-15-15, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, напряжение 1.45 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)

частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 19T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В