Оперативная память QUMO

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, CL 11T

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-30, напряжение 1.35 В

частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В