Найдено 11 товаров
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
![Silicon-Power 4GB DDR3 PC3-12800 [SP004GLLTU160N02]](http://cdn.dataimgstore.com/preview/94/7/960727/aCeRfm9qqe.jpeg)
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 46T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
