Процессоры Intel

Coffee Lake, LGA1151 v2, 4 ядра, частота 4.8/3.6 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 71W

Raptor Lake, LGA1700, 24 ядра, частота 5.6/2 ГГц, кэш 32 МБ + 36 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 219W

Coffee Lake, LGA1151 v2, 2 ядра, частота 3.7 ГГц, кэш 4 Мб, техпроцесс 14 нм, TDP 54W

2020 г, Cascade Lake, LGA3647, 24 ядра, 48 потоков, частота 4/2.4 ГГц, кэш 35.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 165W

Ice Lake, LGA4189, 28 ядер, частота 3.4/2.2 ГГц, кэш 42 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 165W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.5/2.8 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2020 г, Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.3/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, поддержка DDR4, TDP 65W

Haswell, 4 ядра, частота 3.5 ГГц, кэш 1 МБ + 8 МБ, техпроцесс 22 нм, сокет LGA1150, TDP 84W

2020 г, Comet Lake, LGA1200, 6 ядер, 12 потоков, частота 4.3/2.9 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Sapphire Rapids, LGA4677, 32 ядра, частота 3.4/2 ГГц, кэш 60 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 250W

Cascade Lake, LGA3647, 8 ядер, частота 4/3.2 ГГц, кэш 11 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 130W

Sapphire Rapids, LGA4677, 28 ядер, частота 4.1/2 ГГц, кэш 52.5 МБ, техпроцесс 10 нм, TDP 205W

Rocket Lake, LGA1200, 4 ядра, частота 4.6/3.1 ГГц, кэш 8 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

2024 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 14 ядер, 20 потоков, частота 5/2.6 ГГц, кэш 11.5 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 65W

Rocket Lake, LGA1200, 6 ядер, частота 4.6/2.7 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 65W

Cascade Lake, LGA3647, 10 ядер, частота 3.4/2.5 ГГц, кэш 13.75 МБ, техпроцесс 14 нм, TDP 85W

Sandy Bridge-EP, 2 ядра, частота 3 ГГц, кэш 512 КБ + 5 МБ, техпроцесс 32 нм, сокет LGA2011, TDP 80W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 8 ядер, 16 потоков, частота 3.6/2.8 ГГц, кэш 12 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 105W

2023 г, Raptor Lake-R, LGA1700, 14 ядер, 20 потоков, частота 5.3/3.5 ГГц, кэш 20 МБ + 24 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR5/DDR4, TDP 125W

2021 г, Ice Lake, LGA4189, 16 ядер, 32 потока, частота 3.4/2.4 ГГц, кэш 24 МБ, техпроцесс 10 нм, поддержка DDR4, TDP 135W

Broadwell, 10 ядер, частота 2.4 ГГц + 25 МБ, техпроцесс 14 нм, сокет LGA2011-3/LGA2011-3 Square ILM/LGA2011-3 Narrow ILM, TDP 90W