Найдено 67 товаров
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
![AMD 16GB DDR4 SODIMM PC4-19200 [R7416G2400S2S-UO]](http://cdn.dataimgstore.com/preview/94/6/1435226/3ZMqPUUiLD.jpeg)
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-36, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
![AMD Radeon R7 Performance 4GB DDR4 PC4-17000 [R744G2133U1S-UO]](http://cdn.dataimgstore.com/preview/94/7/1294517/AILnuvEZX8.jpeg)
модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В
модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 800 МГц, CL 6T, тайминги 6-6-6-18, напряжение 1.8 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
