Оперативная память AMD

частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-39, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

модуль памяти DDR4 DIMM, объем 4 ГБ, частота 2133 МГц, тайминги 15-15-15-36, напряжение питания 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-16-16-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1333 МГц, CL 9T, тайминги 9-9-9-24, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В