Оперативная память Kingston

4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В (при разгоне 1.5 В)

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 2933 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

4 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-21-21, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3000 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В