Оперативная память Patriot

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3866 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-40, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.2 В

частота 2133 МГц, CL 15T

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

частота 1333 МГц, CL 9T, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.9 В

частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В