Оперативная память Patriot

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В

двухканальный (2 модуля), частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 15T, тайминги 15-15-15-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

двухканальный (2 модуля), частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В

частота 800 МГц, CL 6T, напряжение 1.8 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17-39, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-77, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 17T, тайминги 17-19-19-39, напряжение 1.35 В