Найден 1221 товар
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 42T, тайминги 42-42-42-84, напряжение 1.1 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-40-40, напряжение 1.35 В
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-83, напряжение 1.1 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.2 В
4 ГБ, 1 модуль DDR3 SO-DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36, напряжение 1.4 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В
32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В
64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.4 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-38, напряжение 1.35 В
![Huawei 16GB DDR4 PC4-19200 [06200213]](http://cdn.dataimgstore.com/preview/94/6/1294986/RTqKTPK9O1.jpeg)
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
одноканальный (1 модуль), частота 2400 МГц, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, напряжение 1.2 В
8 ГБ, 1 модуль DDR5 SO-DIMM, частота 5200 МГц, напряжение 1.2 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46, напряжение 1.4 В
16 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 8 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46, напряжение 1.4 В
