Оперативная память

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-20-20-40, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-24-24-46, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-76, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В