Оперативная память

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, напряжение 1.35 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38-96, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.35 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 7200 МГц, CL 34T, тайминги 34-45-45-115, напряжение 1.4 В

128 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-40-40, напряжение 1.25 В

частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

частота 2400 МГц, CL 16T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 5200 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.25 В

частота 1600 МГц, напряжение 1.35 В