Найдено 37 товаров
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1600/1000 МБайт/с
128 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 1600/1000 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2200/1200 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 2200/1200 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/430 МБайт/с, случайный доступ: 50000/50000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1650 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1700/1200 MBps, случайный доступ: 290000/260000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 4900/4400 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 4900/4400 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000/2200 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с, DRAM-буфер
