Оперативная память

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 19T, тайминги 19-20-20-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-84, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.4 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-35, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11-28, напряжение 1.5 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В