Оперативная память

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 6000 МГц, CL 34T, тайминги 34-44-44-84, напряжение 1.3 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, напряжение 1.35 В

частота 1600 МГц, CL 10T, тайминги 10-10-10-27, напряжение 1.5 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

частота 2133 МГц, CL 15T, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-46, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2400 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-17-17-36, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 4800 МГц, CL 40T, тайминги 40-39-39, напряжение 1.1 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 20T, тайминги 20-22-22, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.5 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 4800 МГц, напряжение 1.1 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 3000 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-40, напряжение 1.35 В