Найдено 656 товаров
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Samsung Pablo, микросхемы 3D MLC NAND, последовательный доступ: 3100/2600 MBps, случайный доступ: 400000/470000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/2000 MBps, случайный доступ: 150000/200000 IOps
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/2000 MBps, случайный доступ: 150000/200000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер WD Black G2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1100000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 750000/750000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4700 МБайт/с, случайный доступ: 495000/750000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/4700 МБайт/с, случайный доступ: 495000/750000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с
15.36 ТБ, 2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/4000 MBps, случайный доступ: 1100000/200000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.2, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6700/4000 MBps, случайный доступ: 1100000/200000 IOps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
M.2, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы TLC, последовательный доступ: 530/430 MBps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 410000/600000 IOps, SLC-кэш
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3600/3000 МБайт/с, случайный доступ: 410000/600000 IOps, SLC-кэш
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2000/1610 MBps, случайный доступ: 128000/126000 IOps
2.048 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с
2.048 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/520 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2200 MBps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
512 ГБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Phison PS3111-S11, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 500/450 МБайт/с
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND
500 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5021-E21-48, микросхемы 3D QLC NAND
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 MBps, случайный доступ: 730000/610000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, случайный доступ: 900000/700000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6700 МБайт/с, случайный доступ: 900000/700000 IOps, SLC-кэш
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 5000/4400 МБайт/с, случайный доступ: 600000/600000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/2000 MBps, случайный доступ: 150000/200000 IOps
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3400/2000 MBps, случайный доступ: 150000/200000 IOps