Найдено 702 товара
1.92 ТБ, 2.5", SAS 4 (24G), микросхемы TLC, последовательный доступ: 4200/3400 МБайт/с, случайный доступ: 720000/155000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SAS 4 (24G), микросхемы TLC, последовательный доступ: 4200/3400 МБайт/с, случайный доступ: 720000/155000 IOps
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/3900 МБайт/с, случайный доступ: 450000/900000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/3900 МБайт/с, случайный доступ: 450000/900000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2080 MBps, случайный доступ: 643000/199000 IOps
U.2, PCI Express 3.1 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3200/2080 MBps, случайный доступ: 643000/199000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
1 ТБ, M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
800 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1000 МБайт/с, случайный доступ: 400000/70000 IOps
800 ГБ, M.2, PCI Express 3.0 x4, последовательный доступ: 3100/1000 МБайт/с, случайный доступ: 400000/70000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1600000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
256 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1300 МБайт/с, случайный доступ: 165000/265000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2100/1500 MBps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/520 MBps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/490 МБайт/с, случайный доступ: 95000/18000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/490 МБайт/с, случайный доступ: 95000/18000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6000 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 50000/75000 IOps
M.2, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 MBps, случайный доступ: 50000/75000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000 IOps
2.5", SAS 3, микросхемы TLC, последовательный доступ: 2100/1800 MBps, случайный доступ: 400000/65000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12000/11800 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1400000 IOps, SLC-кэш
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), последовательный доступ: 12000/11800 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1400000 IOps, SLC-кэш
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14100/12600 МБайт/с, DRAM-буфер