Найдено 656 товаров
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 4800/4600 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 4800/4600 МБайт/с, совместимость с PS5
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), контроллер Silicon Motion SM2262EN, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 MBps, случайный доступ: 390000/380000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, случайный доступ: 650000/660000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), последовательный доступ: 7400/6400 МБайт/с, случайный доступ: 650000/660000 IOps, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0), контроллер Samsung Pascal, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7450/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1200000/1550000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 92000/31000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 92000/31000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 87000/80000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/540 MBps, случайный доступ: 87000/80000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3100/1700 МБайт/с
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
1.92 ТБ, 2.5", PCI Express 5.0 x4 (U.3), микросхемы TLC
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
256 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 550/490 МБайт/с, случайный доступ: 40000/50000 IOps
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2200/1300 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 2200/1300 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5018-E18, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Phison PS5018-E18, последовательный доступ: 7400/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 450/320 MBps, случайный доступ: 40000/40000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
M.2, PCI Express 4.0 x4, контроллер Innogrit IG5236, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/5500 MBps, случайный доступ: 800000/800000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
500 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 3500/2400 МБайт/с, случайный доступ: 220000/500000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 520/450 MBps, случайный доступ: 40000/75000 IOps
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
8 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер